纳米晶的制备,表面修饰及其电荷存储性能的研究
发布时间:2012-03-29 浏览次数:

项目名称:纳米晶的制备,表面修饰及其电荷存储性能的研究

项目类型:国家自然科学基金项目

项目批准号:11004087

项目负责人:袁彩雷

资助经费:23万元

项目起止年月:2011.01-2013.12

项目简介:作为新一代的超高密度存储器件,纳米晶存储器具有体积小、存储密度高,低能、快速擦写和可多次循环使用的特点,本研究工作的目标是利用脉冲激光沉积技术在高介电材料薄膜中形成高密度,可以有效控制尺寸的纳米晶。通过优化组合纳米晶材料和介电母体材料以及制备核壳结构纳米晶来人为的调控纳米晶表面的缺陷态。系统的研究纳米晶表面缺陷在电荷存储中的作用,探寻纳米晶存储电荷的物理机理,研究载流子的限域效应,单电子效应,了解量子多位存储器在构建超小,超高密度存储器中的应用。